SiC-basierte Power Module

SiC-basierte Power Module

ROHM gab kürzlich die Entwicklung eines rein SiC-basierten 1200V/300A Power Moduls für Wechselrichter und Stromrichter in Power Conditionern für PV-Anlagen und industriellem Equipment bekannt.

Mit seinem Nennstrom von 300A eignet sich das Power Modul BSM300D12P2E001 ideal für Hochleistungs-Anwendungen wie etwa große Stromversorgungen für industrielle Anlagen. Die gegenüber konventionellen IGBT-Modulen um 77% reduzierten Schaltverluste ermöglichen außerdem den Betrieb mit hohen Schaltfrequenzen, so dass kleinere Kühlvorrichtungen und Peripheriebauelemente benötigt werden.

ROHM hatte im März 2012 mit der Produktion des weltweit ersten rein SiC-basierten Power Moduls mit einem integrierten, ausschließlich aus Siliziumkarbid hergestellten Leistungshalbleiter begonnen. Die für 120 A und 180 A/ 1200V spezifizierten Produkte des Unternehmens finden im Industrie- und Starkstrombereich immer mehr Verbreitung. Obwohl wegen der Energiespar-Effekte weitere Anhebungen des Nennstroms zu erwarten sind, war ein völlig neues Gehäusedesign erforderlich, um die Eignung der SiC-Produkte für hohe Schaltfrequenzen vollständig ausschöpfen zu können. Das Gehäuse muss die Auswirkungen der während des Schaltens auftretenden Spannungsspitzen minimieren können, die besonders bei hohen Stromstärken problematisch sein können.

Beim Power Modul BSM300D12P2E001 sind deshalb das Chip-Layout und die Konstruktion so optimiert, dass Spannungsspitzen unterdrückt werden und der Betrieb mit Strömen bis zu 300A möglich ist. ROHM wird seine Produktserien außerdem künftig weiter stärken und durch Produkte für höhere Ströme ergänzen, die mit SiC-Bausteinen auf der Basis von Hochspannungs-Modulen und Trench-Strukturen ausgestattet sind.

Quelle: ROHM Semiconductor GmbH

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